2N5485场效应管是一款用于功率放大器应用的硅NPN半导体，可以满足频率高达250MHz的要求，使设计者有更多选择来满足不同应用的要求。2N5485场效应管的基本参数包括最大功率输出（Pout），最大耗散功率（Pd），最小关断电流（Ice

场效应管（Field-Effect Transistor；FET）是一种具有调制能力的电子器件，它能够以很小的电流就可以控制较大的电流，因此被广泛应用于模拟、数字电路领域。FET有一些关键参数，它们是用来衡量FET性能的指标，如输入阻抗（I

场效应管（Field Effect Transistor）是一种可以作为放大器、改变器、信号放大器、滤波器、传输栅等电子电路的开关元器件，它有着许多参数，比如介质电阻、栅极电阻、源极电阻、漏极电阻等，它们均影响着场效应管的整体性能，使用场效