三极管与场效应管的比较
随着半导体科技的发展，三极管与场效应管两种元件相继出现并受到了人们的青睐，在许多电子设备中都有其应用。它们的主要功能都是用来改变电路中电势的大小，从而起到调节的作用。那么，这两种元件之间有什么不同呢？下面就来一起比较它们的区别及其主要参数：
n沟道场效应管的技术原理及其应用
n沟道场效应管（field-effect transistor，FET）电子器件是现代电子设备中使用最多的一种器件。它是由晶体管的门电容组成的，是使用场效应（field effect）技术设计的。早在20世纪50年代，科学家和技术工程师就已
场效应管输入阻抗：利弊分析
场效应管输入阻抗作为电子工程常用的一种元件，主要用于调整放大器的输入阻抗并改善电路的频率响应。但是它也存在一定的缺点。首先，一个明显的弊端是它消耗相当大的功率。由于场效应管输入阻抗产生的分压也会降低总电流，从而增加功耗。其次，它拥有一种相对
双极型场效应管：大大提升电路性能
双极型场效应管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）是一种改变电路功率和效率特性的重要元件。BJT的依靠电子流控制边界层来改变传输特性，正是这种精致而有效的功能而使BJT非常受欢迎。BJT器件由三个端： 输入
开启场效应管输出精彩世界
场效应管输出技术，也被称为“量子阵列”，是电子学和量子计算领域的一项技术。它解决了物理系统在巨大温度和湿度波动中产生的影响，可以实现高精度的输出控制。量子阵列系统包括一个类似晶体晶片的量子元件，可以容纳30G的量子位容器，实现良好的控制。这
贴片场效应管对管电路的重要作用
贴片场效应管（TO）是一种智能材料，它的存在在很多种电路结构中都起着很重要的作用。贴片场效应管对管电路是十分重要的，它可以在中增加电路的复杂度，形成一个新的电路图，创造出新的功能和性能。首先，贴片场效应管可以在电路中模拟一个双极双开晶体管，
场效应管 Gate Current——影响电子设备性能的重要因素
在广泛使用的电子及半导体设备中，场效应管gate current被认为是影响电子设备性能的重要因素。在任何电压和电流场中，场效应管的gate current分配能够在电子设备上产生重要影响，包括任何一种电流及电压波形的传输，如socket技
场效应管符号——实现畅通电子控制
场效应管符号是在电路中非常重要的一环，可以实现高效率、可靠的电子控制。同时，它也是一种非常实用的元件，经常用来实现各种自动控制和模拟各种信号变换。通常情况下，场效应管符号可以分为光电耦合器和噪声信号管两种。光电耦合器是一种以光和电交换信号的
IGBT场效应管700V 40A性能技术特点
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）场效应管由相继连接的晶体管和场效应管组成，是一种工业可靠、成本较低的开关技术，具有多种应用。本文重点介绍了IGBT场效应管700V 40A的功能特点。700V 4
场效应管D与S极能否随意互换?
场效应管、简称FET，是一种半导体元器件，它可以在没有门垄断的情况下控制电源，因此在电子设备上使用比较普遍。与普通的晶体管相比，场效应管有较高的增益性能和较低的功耗。其中，场效应管可以分为d型和s型，d型由n型沟槽引起的P型器件构成；而s型