Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors（MOSFETs） 或称MOS管是管式半导体晶体管的一种，是由金属氧化物和半导体构成的一种专门用于模拟和数字电路的管子。MOS管是一种非常重要的电子器件，也是大多数电路的基本元件。换句话说，MOS管是一种由三层薄膜组成的三极型晶体管，其中两层薄膜是硅的金属氧化物膜，而另外一层薄膜是可控制电流所必需的半导体晶体管。
MOS管有两种形式，即 n 型和 p 型，它们在构造上几乎完全相同，只是金属氧化物膜（硅）中电载流子的密度不同。n 型MOSFET包含一层正向偏置的受控 n 型硅膜，这层膜由空气孔和 n 型硅填充而成，而 p 型MOSFET则具有负向偏置的受控膜结构，其结构由空气孔和 p 型硅填充而成。
场效应管（FET）又称栅极效应管，是一种特殊的三极管，有着 n 型和 p 型两种形态。场效应管以控制芯片的栅极电场来实现放大、限流和控制电流，而无需消耗太多功率。因此，它们不仅在模拟电路中常用，而且也用于数字电路中。另外，场效应管也具有高速、低成本、低功耗等特点，使得它们变得更受欢迎。
因为我们已经弄清楚MOS管和场效应管的区别，现在回答我们的最初问题，mos管是场效应管吗？答案是否定的，MOS管是一种金属氧化物半导体晶体管，而场效应管是一种特殊的三极管，它们不是一种相同的器件，它们只是有一些共同的特征，比如都属于管式半导体晶体管，但它们并不相同。
