P沟道场效应管（FET）电路是一种主要由元器件-场效应管所构成的电路。这种电路没有热效应，具有高频特性、大功率、高输入阻抗、开关速度快、较低的动态特性以及可以构成低成本、高稳定性等优点，常用于电子计时器、装置控制、调制电路等。
p沟道场效应管电路是以晶体器件-晶体管为基础，它具有静态特性，它的构造是由两个互补反应型晶体管构成的，即P沟和N沟。晶体管中，通过控制晶体管内部的沟道电流，来实现对电路的调节、放大或衰减。它具有低电压、高增益匹配、有效利用空间以及容易操作等优点，常用于控制马达、灯泡、调制电路等。
另外P沟道场效应管电路还具有高极化稳定性、高精确度、高运算能力和可用于复杂应用的优点，是比较常用的电路。此外，它还能在多种混合电路中发挥重要作用，甚至可以用于分立元件的并联电路补偿策略的设计。
由此可见，P沟道场效应管电路具有高输入阻抗、低漏极化、低 powerrss、快速响应和易于设计等优点，因此它受到了电子行业的青睐，广泛应用于各种电子设备的模拟电路和控制电路的设计中。
