场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）指的是一种晶体管类型，是由两个电极（源极和漏极）组成的半导体器件。它与普通的NPN晶体管大不相同，因为它的功能是由外部的电场来控制的，而不是通过内部的电流。在许多情况下，FET可以当作我们的“反向”晶体管，因为它们可以阻止过大的电流通过晶体管，因此起到保护作用。
在某些情况下，FET可以用于保护二极管免受电流损害。二极管有着与普通晶体管大不相同的一个特性，即它只允许电流在一个方向上流动。但是，当过大的电流通过它时，它也会因过度损耗而受损。FET可以控制电流的流动，从而有效地保护二极管不受损害。
另外，FET也可以用于提升二极管的性能。例如，可以通过外部电路来增加FET的放大比和耐受电流的限制，从而使二极管达到最佳性能。
总体来说，FET可以有效地保护和增加二极管的性能。它们不但阻止过大的电流穿过晶体管，并且可以通过外部电路来提高电路的性能。因此，FET是必不可少的一种器件，也是电子行业中用于实现业内外测试测量的重要元件。
