场效应管（Field Effect Transistor，FET）是利用沟道电场调节器件通道电流的一种电子器件，它的运行特性被广泛应用于集成电路中。近几年来，随着工艺技术的不断发展，工艺精度的提高，及器件尺寸的缩小，FET的集成程度更大，功耗更低，这都为它取得的节能效果和强大的分析性能提供了基础。
为了更进一步提升FET的能源效率，科学家们研制了一类更加先进的FET，即增强型场效应管（Enhancement Field Effect Transistor，EFET）。EFET的沟道电场具有非常强大的增强效果，其特性能够很好地改善电路的功率环境，增加电路效能，有效提升能源利用率，显著减少能耗。
此外，EFET具备良好的稳定性和耐久性，能够实现低噪声和低抖动，可以改善传输精度，有助于改善系统的准确性和可靠性。在有源和无源控制需求方面，EFET具有优越的控制效果，可以实现精细控制，即使多路传输，其效果也能够得到改善。
总之，EFET具有非常出色的传输性能，能够显著降低激励功耗，有望成为电路节能技术的新方向，以及提升能源利用效率的新趋势。
