场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一类半导体器件，其结构类似于普通的晶体管，可进行电流或电压的检测和控制等电气功能。场效应管反接是在场效应管的输出端反接一组电阻，组成“反接的电路”，由此可以解决场效应管应用中的实际问题。
场效应管反接技术具有许多优势。首先，它可以改善器件的工作特性。通过在输出端反接一组电阻，可以改变场效应管电流或电压输出特性，其中包括静态性能、动态特性，以及功率和抗干扰性能等，从而更好地满足工程上的应用要求。
另外，场效应管反接技术还有可以提高功效的优势。反接电路增大了负载，这可以有效地抑制信号上升时间、降低噪声和改善电路的响应速度等，提高场效应管的电路效率。
此外，场效应管反接技术还可以有效降低电路的成本。由于场效应管反接可以提高电路的扩散抵抗，减少电路的线路容量，从而节省原材料和制作成本。
总之，场效应管反接技术具有改善器件的工作特性、提高功率的优势和降低成本的优势，广泛应用于通用电路、示波器、家用电器等领域。
