场效应管（Field Effect Transistor，FET）可被称为是目前电子电路中最重要的器件之一，具有高速度、低功耗、低噪声和低义务延迟等优点。然而，它的技术也有许多局限性，其中最重要的就是存在着它的管饱和问题。管饱和是指场效应管