场效应管（FET）是半导体中最常见的器件，它的主要机理是利用晶体管空气隙处产生的电场来控制电子流动。FET具有高阻抗、低噪声、低耗电等优点，因此在近年来得到了普遍的应用。在静电保护方面，场效应管也广泛用于各种相关设备。
当FET受到软硬磁场、放电及静电脉冲等攻击时，便会产生较大的温度，使晶体管失去正常的开关功能。因此，为了抵抗这些攻击，FET必须进行相应的静电保护。
FET静电保护原理主要是在FET表面形成一层空气隙，这层介质具有较高的介电常数，而且可以抵抗静电脉冲的冲击，并在温度上有一定的稳定性。因此，FET的输入端可以接收到比接地更高的脉冲电压，而输出端却可以继续持续输出，这就将可能发生的损坏限制在一定程度内，从而达到保护FET的作用。
总结起来，FET利用其特有的静电保护特性和高阻抗介质的特性来保护FET，从而有效地抵御外部电场，保护电子设备免受软硬磁场、放电和静电脉冲等攻击的损害。
