场效应管（Field-Effect Transistor FET）是一种半导体晶体管，是在MOS结构中控制电流流动的器件，是当代微电子电路设计中非常重要和普遍使用的三极管之一。在电路设计中，为了获得高性能，必须加以合理设计，必须准确计算场效应管电流。
在计算场效应管电流时，首先要考虑场效应管的有关参数，如最大集电极电流（I DS(max) ）、最小集电极电流（I DS (min)）、封装电阻（R DS(on) ）、转移比（gm）、集电极饱和电压（V DS(sat) ）等。按照已有的经验和实际设计的要求，选择合适的参数即可计算当前场效应管的电流。
此外，要精准计算场效应管电流，还需要考虑场效应管的控制电路参数，如：最大场效应管源极电压（V GS(max) ）、场效应管源极电压（V GS(min) ）, 场效应管饱和电压（V DSat ）、场效应管阈值电压（V TH ）和场效应管的双传输系数等。通过结合计算机软件的工具，例如等效电路设计软件，可以更准确地计算场效应管电流，估计场效应管的工作特性。
总之，计算场效应管电流时，除了考虑各个参数之外，还要运用计算机软件来精准计算，才能更好地应用场效应管，保证电路性能的最大化。
