功率场效应管（Power Field Effect Transistor, PFET）是一种介质放大器，具有更大的能量差、高分辨率、高效率及快速放大的特性，广泛应用于微电路的模拟电路和调节阀设央，是电子行业中的重要元件。
功率场效应管晶体管共有三个特性参数，分别是增益比、最大功率和最小电压偏移。增益比是由管件输出电流和输出电压的变化比而定，一般来讲，输出电流与输入电流应该尽可能接近，以获得最大的能量效率。最大功率则是管件单位输出电流驱动的最大功率，该参数决定了功率场效应管的最大负载容量和最大输出功率，尤其对于晶体管驱动电路而言，越大越好。最后，最小电压偏移指的是电压在不同的负载条件和不同流量下的变化，这是将电流转变为电压的关键参数。
常用功率场效应管有MRF571L、MRF6V1880、MRF6V2360N、MRF6VP5130H、IRF630N、IRF730N、IRF7405等，各种管件在特定环境中均有所区别，有利于开发各种应用。凭借其在微电路和集成电路的优越性能，功率场效应管晶体管在科研、医疗、控制等领域都有重要的应用。
总之，功率场效应管是电子行业重要的元件之一，具有更大的能量差、高分辨率、高效率及快速放大的特性，常用功率场效应管如MRF571L、MRF6V1880、MRF6V2360N、MRF6VP5130H、IRF630N、IRF730N、IRF7405等，各种管件在特定环境中均有所区别，广泛用于微电路的模拟电路和调节阀设央，应用非常广泛。
