场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种晶体管，它与传统晶体管最大的不同是，晶体管的使用单向电流控制集电极的电荷，而FET是使用施加在接地引脚两端的一组栅极电压来控制一个小的饱和通道，从而改变电流。FET如今已经成为一种无源元件，广泛用于电子电路的自动控制和数据处理。
FET的基本结构大致是由由两个极及一个沟道组成，其中极为源极（S）及漏极（D），沟道部分由一个类似半导体层，由栅极（G）来控制，从而确定电流在漏极与源极之间的导通程度，即电流条件。FET的主要功能特性主要有三点：
第一，场效应管具有较低的晶体管静态电流，一般小于等于20μA，因此晶体管的工作状态不会发生变化，从而具有低消耗的优势；
第二，场效应管具有良好的带宽特性，可实现高切换速度和高响应速度；
第三，场效应管的漏极电流与漏极的栅极电压有密切的关系，电压控制电流，管型可以实现此功能，使得场效应管比晶体管更加灵敏，更易于控制和调节。
场效应管作为一种集成电路，在现代电子设备中应用非常广泛，如中途放大器、功率放大器、共模抑制、交流与直流放大、直接功率放大、开关和耦合电路等，也仍然在诸多新兴电子应用中发挥着重要作用。基于场效应管的电路可以实现复杂的功能，并且由于尺寸小且性能稳定，因而应用十分广泛。
总之，场效应管具有低消耗、高带宽和调节准确的特点，使其在现代电子产品中得到了广泛的应用。
