结型场效应管，译作MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种无极性半导体功率器件，采用场效结结构，在晶体管中间加一个可控漏电子来使电路的控制电料具有自阻性，从而进入共漏极放大电路。共漏极放大电路是利用结型场效应管作为周期性开关，放大器操作的电路，放大器的输入端接结型场效应管的极，输出端接结型场效应管的漏极，电源端接一定的电压源，来控制共漏极放大电路的放大倍数。
结型场效应管放大电路集成度高，热发现属性好，反应速度快，在高频和大功率的应用中能发挥出它的优点。然而，随着技术的进步，使用结型场效应管放大器可能还会产生噪声，不利于系统性能的改善，降低系统的容错度，存在诸多的不利因素，因此，需要我们结合不同的结型场效应管，进行合理的设计，从而提高结型场效应管放大器系统的性能，使它能够满足不同电子应用的要求。
由此，结型场效应管共漏极放大电路具有高集成度、快反应速度、低功耗等强大的特性，在许多领域均可应用，例如航空、航天、宇宙、国防、冶金、化学、传动、电信等等，也可以用于生活中的微机、仪表、图形、空调、及家用电器等。因此，结型场效应管共漏极放大电路具有广阔的前景，在电子技术领域有重要作用。
