场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是半导体中最有效的放大器元件，它们在微处理器、电路芯片以及许多其他电子系统中发挥重要作用。FET的组成部分是一个门电流，它能够控制FET工作的效率。门电流通常归结为两种：门漏电流和门注入电流。
门漏电流是一种受场效应管的结构决定的电流。它受到环境参数，如温度、湿度等的影响，从而直接影响FET的效率。因此，在设计时必须限制门漏电流，以保证FET的性能及其处理信号的效率。
另一方面，门注入电流受着FET端口宽度和电压的影响，除此之外，门电路的设计也会对门注入电流产生影响，它能够改变FET的特性参数及功率损耗。门注入电流可以通过精心的设计来减少，这样可以改善FET的效率。
归结起来，FET的效率与门电流有着不言而喻的关系。门漏电流和门注入电流都必须尽可能地控制，以达到电路设计的最大效率。另外，在FET工作时，所有外界参数都应该加以监测，因为它们会随时间的推移变化，可能会对FET的运行产生负面影响。因此，有效的场效应管门电流以及正确的设计和监测是提升FET效率的重要元素。
