在电子技术领域，场效应管（简称FET）和mos管是两种常见的集成电路。它们是有很大的区别的，不同之处体现在构造、功耗、功能特性和应用等方面。
首先，在构造上，场效应管是由晶体管和连接构成的晶体管。因为没有移子，所以没有漏电，发射速率非常快，但下电和开关效率相对较低。而MOS管由晶体管和连接组成，能有效抑制发射和漏电，下电和开关效率非常高，只是发射速率比场效应管要慢一些。
其次，在功耗方面，场效应管比MOS管要低很多。MOS管在工作时会加大电流，减轻负担，比场效应管要消耗更多的功率。
最后，在功能特性和应用方面，MOS管通常用在放大前端电路，能快速传递信号，具有高灵敏度、低噪声、低失真和低功耗等特性。而场效应管用于放大后端功能，可提供输出驱动和低压工作，适用于正逆变器等电路应用。
总之，场效应管和MOS管有着不同的构造和功耗，可以满足来实现不同的功能。他们在不同的领域有着不同的应用，可以根据实际需要来选择适当的集成电路应用。
