双栅场效应管（Field-Effect Transistor,FET）是一种半导体晶体管，它能够产生一个明显的场效应，从而控制电子流的流动。由于FET具有非常高的放大倍数以及低的输入电阻，因此，它正越来越受到机械和电子行业的重视。
双栅场效应管的特征主要是它具有几何形状独特的沟槽，两端排列有几个内部接口的导通管，可以稳定减小该晶体管的输入电阻。它的内部结构分成多个空间，每个空间两端分别有两个接口，连接到沟槽中间的引线，以控制晶体管的电子流量。
双栅场效应管型号主要有MOSFET、JFET和UJFET等。MOSFET是最常见的双栅场效应管型号，它有两个MOS结，一个做源极，一个做漏极，可以控制电子流量的大小。而JFET和UJFET则采用了JFET和U型构造，可以调整电子流量的数量，从而达到放大效果。
综上，双栅场效应管具有几何形状独特的沟槽，可以实现对电子流量的控制。它的型号主要有MOSFET、JFET和UJFET等，都具备自己特有的特征，可以实现不同的功能。
