IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极晶体管，是一种半导体器件 st 晶体管结构的结合，它将按极性器件场效应管的优点与晶体管的优点有机结合在一起，具有较高的效率、流量、恒定特性和耐压特性等优点，因此IGBT具有很高的功率可处理能力，是当今高功率半导体器件的主流产品。
场效应管（Field Effect Transistor），即场效应晶体管，是一种电子器件，它的特性受到电场的控制，极易实现压摆率可调式，具有高增益、低功耗、扩散抗输入电流和耐压等优点，是控制电流及提高电器电路效率的有力工具，利用场效应管可以做到把小电流放大成大电流。
从技术特性上来讲，IGBT集成了晶体管与场效应管的特性，具有二者的优点，可以用于宽电压及功率加大的领域，而场效应管具有较小的漏电流，高输入阻抗等优点，比较适合用于高增益的电路应用中。
还有就是在制造工艺方面也有不少区别：IBGT多以DMOS工艺制作，具有高效的场效应晶体管互连，故具有更大的可靠性；而场效应晶体管制造工艺上拥有较低的死区和更精细的控制，因此在封装形式上IGBT有较大的档位，而场效应晶体管的封装型号都比较小，从而实现了价格上的经济性。
综上所述，IGBT与场效应管的区别在于制作工艺、性能、包装尺寸等方面，二者有着许多共性特点，在电机控制、工业控制、电力转换及变送器系统等许多领域有着广泛的应用。
