功率场效应管（Power Field-Effect Transistor，简称PFET）是一种根据专有技术复合的半导体元件，具有极高的损耗和低的负载内阻。PFET在电源、信号放大和功率放大应用中具有各种优异的特性，是可靠的执行器，满足多种应用需求。
从技术角度来看，PFET是具有多种元素的多部份元件，具有低损耗（小于 2V 的 24V 电源）、小尺寸、低价格等优异的特性。PFET在被打开时，负载电能降至负载晶体管的零压，有效的控制电流和功率。它最初由林后公司，在 1982 年开发出来，是一次划时代的进步，在当时广受称赞，并被广泛应用。
PFET具有小体积、低价格、低损耗和高效率等优势，应用十分广泛。它们由于具有小尺寸和低损耗的优点，可以节约额外空间，是一种理想的节能方案，常见的使用场景有小型电源模块、电脑内存模块、小型电动工具、蓄电池充电模块等等。
然而，PFET也有一些缺点，比如低转换效率，功率损耗较高，耗电量较高等。此外，它的功率转换效果取决于电压和电流的大小，这需要精确的控制，而且具有一定的灵敏度，经不起时变，所以不能用于一些特殊条件的应用场景下。
总之，功率场效应管是信号放大和功率放大应用中不可或缺的一种元件，是满足多种应用需求的利器，也是重要的发展方向。它具有优异的特性和相当高的使用性能，让元件制造厂家为流行市场的各种重要应用提供便捷有力的解决方案。
