场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用于控制电流的半导体晶体管，可以调节电流以实现模拟或数字集成电路。电流控制是场效应管的基本功能，计算场效应管电流是开发应用于其中的许多电路的必要知识。本文介绍了场效应管电流计算的基本思路和几种常用的计算方法。
首先要明确的是，场效应管电流的大小取决于三个主要变量：场效应管的动态电阻（Dynamic Resistance） Rd，增益常数（Gain Constant）K和工作电压（Voltage）V。因此，要计算场效应管的电流，必须先求出三者的值。
其次，在计算场效应管的电流时，可以采用以下几种方法：
1）求Gain Constant：在具有显著增益和较高静态电阻的场效应管中，K可以通过测量场效应管的电流容差和电压差来求出，K = ΔI / ΔV。
2）计算Dynamic Resistance：
Rd可以用正弦波信号来测量，它的表达式为：Rd = Vp / Im。Vp为该FET正弦波的峰值，Im为此FET的平均电流。
3）FET的电流计算：已经得出FET的K和Rd值，则可以按照下面的公式计算场效应管的电流：I = K × V × Rd 。
最后，要指出的是，计算场效应管电流并不是一件容易的事，需要综合运用各种方法，才能有可靠的结果。
