场效应管（Field Effect Transistor，FET）是三端口晶体管，它的输入端口是沟道，两输出端口是源极和漏极。采用可变电阻技术可以更可靠、更容易控制场效应晶体管的特性。应用可变电阻可以改变表现出来的电路特性，比如增大晶体管的电流或者减少晶体管的漏电。
首先，我们要理解可变电阻元件的工作原理，可变电阻元件利用磁场或电场可改变电阻的原理来改变晶体管的特性。第二，可变电阻的电极可以很轻松的实现电阻的改变，所以可以改变场效应管的电流。第三，这种可变电阻不仅可以在设备上，也可以在应用程序中使用，因此可以利用这种可变电阻增加晶体管的隔离能力。
在场效应管系统中，可变电阻技术可以使系统具有更快的响应，更好的精确度，更小的可调电容量，更高的噪声抑制和更多的调节，因此能够更有效地满足各种应用需求。与传统的可变电流技术相比，可变电阻技术具有更低的成本，更简单的设计，更方便的制造工艺，因此在场效应管应用中可变电阻已经得到了广泛的应用。
综上所述，可变电阻在应用于场效应管中，能够提高晶体管的精度和响应能力，还可以实现更低的成本和更简单的设计，因而受到越来越多的关注。
