场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，具体来说，4N65是一种集成电路，可运用于电子控制和通信电路的保护和运行。它的参数比较复杂，但最重要的数据有：绝缘电阻IR：>1010Ω;结到源极的少路导电电阻RD>1010Ω;漏极电流最大允许值I（D）M：10mA;触发电压V（BR）GSS：>100V；漏极电阻R（D）S：<0.5Ω;工作温度范围：-55℃~150℃;可用于高速电路，共模噪声强度：<2nV/√Hz;开孔电容：<0.01pF。
4N65场效应管具有稳定的结构、宽电压触发范围、低电流、小噪音、高效率和外形尺寸小等特点，被用于无源开关、频率稳定器和锁相环等电路开关及手机电源模块、被动RF元件、以及其它模拟和数字处理电路等。它们相比最早的晶体管更加可靠。
总之，4N65场效应管的参数是非常复杂的，不仅要求参数本身达到一定的要求，还要考虑到与其他集成电路的配合情况，才能满足应用要求，才能有效节能环保，提高性能。
