场效应管（Field Effect Transistor），简称FET，是一种重要的电动器件，可作为放大器、开关、驱动电路、噪声抑制电路等的元器件。其结构分别由源极、漏极及基极组成，导通可调节的沟道在源极和漏极之间，调节电路对沟道加以选定以控制金属氧化物印迹型场效应管（MOSFET）的导通性。
3055型场效应管是最具代表性的一种，它可以在宽频段内实现良好的低噪声性能，同时又具有较高的稳定性和可靠性。它以最低的损耗实现最大的放大倍数，对2600MHz以上频率的应用有很大的优势，如对频率的检测和锁定等。另外，它的集电极带宽很宽，可以处理超过1000GHz的连续信号，在宽带电路中，如多址系统、远程数据传输等实际应用中发挥重要作用。由于它具有良好的性能，其应用极为广泛，能应用在由Ampreme设计的高频电路中，大大提高电路的效能。
因此，3055型场效应管的出现，为宽频带放大以及宽带电路的设计提供了重要参考价值，且具有重要的研究价值，是电子界技术发展的一项技术突破，值得人们所称赞。
