2n5485场效应管（简称FET）是一种基于场效应原理的半导体晶体管，它是由工作场电荷和极性电容共同构成的元件。具有体积小、体积密度大、ICs封装尺寸小、功耗低、功率容量大等特点，且易于集成，是集成电路和微型芯片的核心元件之一。2n5485场效应管参数是驱动晶体管技术的关键考量，通过不同的参数考量，可实现场效应晶体管对电路设计的进一步优化要求。
目前，关于2n5485场效应管参数的常用参数有极对数特性和关断导通特性。极对数特性是缓慢增减输入电压所描述的一种特性，可用来评价FET在某一范围内的电压驱动能力；关断导通特性记录了FET在关断时的集电极漏电流。还有一些其他参数，如温度特性、最大容许差分模拟信号特性、电压增量特性等，也是驱动晶体管技术的重要考量。
FET的参数可以进一步地优化电路设计和应用，但不同的FET参数有不同的考量要求。如果要实现高质量的电路设计，则需要了解FET的不同参数特性，并准确测量它们，从而确保设计准确形成；同时还需要仔细研究FET对特定应用的特性和性能，从而确保有效的使用效果。
2n5485场效应管参数是驱动晶体管技术的核心技术，它不仅可以更好地使用使用价值，而且有助于提高晶体管集成电路的可靠性。因此，在实际应用中，必须准确测量和考量晶体管参数，才能确保最佳的使用效果。
