场效应管（Field-Effect Transistor）和mos管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）属于电子器件的分支，是目前电子行业中应用最为广泛的两种器件。在一定程度上，它们具有相似及不同的地方。
首先，它们的结构不同，MOS管结构中多了一层铝，让电子路径更长，允许电荷较快清空，能够稳定控制信号输出，而场效应管则简单点，不再要求铝层，不会出现放电较快的问题。其次，性能也有些许不同，MOS管具有更好的抗干扰传输能力，但耗电量也更高，场效应管的耗电量小，但受外界干扰较大，传输能力欠佳，其电阻变化的灵敏度也没有MOS管高。
总之，场效应管和MOS管的区别可以归结为：场效应管电阻变化灵敏度不高，不容易受外界电磁干扰，耗电量低，但易破坏；而MOS管易受外界电磁干扰，但抗干扰能力强，耗电关系也高，机械稳定性较强。
