场效应管(field-effect transistor，简称FET)技术一直以来被用作电子系统中的一种重要元件。但是FET发热也是一个比较耗能的问题，在使用时极容易引发问题。
简而言之，场效应管发热是由于内部电流和漏电功率的结果，这些可以由正向态漏电功率、反向态漏电功率以及负向态漏电功率来描述。一般来说，正向态漏电功率是指FET通电状态时进行的传导电流，而反向态漏电功率是FET处于关断状态时所发出的传导电流。此外，漏电功率在不同的电压穿透率下也是不同的，即我们常说的场效应管驱动电压。
实际上，在设计FET电路的时候，要把握好这些参数，避免电路过热。简单说，只要增加FET的信号驱动能力和功耗，就可以减少FET的输出热量。在常用FET的无消耗和有消耗电流比例较高的情况，FET的温升可能会显著提高，因此很多设备功能也受到影响，而且有时会出现烧坏的情况。
在工业和制造中，场效应管反复使用会出现很多问题，例如FET驱动电性能下降、导致输出信号不稳定、功能性能发生变化等。有时，FET发热和热量传导系统的性能和稳定性也受到影响。为了避免这类问题，以及使FET的性能尽可能提高，相应的降温措施必不可少，例如正确选择更高效的FET电路，采用降温措施，使用相应的调整电路等。
在总结上，场效应管发热除了由内部电流和漏电功率造成外，在设计和使用过程中还需注意更多因素，例如FET的驱动能力、电路的热量散热、调节电路的使用等，只有综合考虑这些技术因素，才能优化FET的发热效果，保证其操作稳定可靠。
