场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是用于放大等处理电信号的主要元件，电流流量在这里非常重要。FET的电流计算可以由三个参数：电压、电阻以及门饱和电压来完成。其中门饱和电压是FET最重要的参数之一，是场效应管电流计算的必要要素。
首先，计算FET的门饱和电压。用KVL（Kirchhoff Voltage Law）式来表示FET的门饱和电压：VGSAT = VGS- VDS，其中VGS可以通过电阻-电压计算获得。然后下一步就是计算这个FET门饱和电流，有以下公式：IDS = K*W/L(VGS-VTH)^2，其中K是FET转换系数（μnCox）。W是FET的宽度，L是FET的长度，VTH是门阈值电压。
最后，通过以上公式计算出的FET门饱和电流就是FET的电流。通过理解FET的基本原理和掌握上述计算方法，我们就可以正确地计算出场效应管的电流。
