IGBT（Insulated-gate Bipolar Transistor）和场效应管（ Field Effect Transistor）尽管两者都是电动控制型半导体器件，但是它们在原理和性能上还是存在一定的区别的。
两者的最明显的差异在于它们的控制电势方式不同，IGBT是通过换流器进行控制的，所以电势控制较容易，而场效应管则是利用外加控制型元件，如变压器、电阻网络、反馈回路等，进行间接控制，所以对于控制电势的可靠性要低一些。
另外，IGBT的开关速度较快，它具有在高频下的高效率，而场效应管的开关速度比较慢，对于中、低频而言具有更高的效率。此外，IGBT在前向漏极电流的控制方面有更好的控制能力，而场效应管则较为恶劣，在此方面IGBT性能更好。
总而言之，IGBT与场效应管各有所长，当需要高开关频率及高效率应用时，可考虑使用IGBT;而当需要较低的电源元件，在低频应用时，则可以采用场效应管。
