近年来，由于芯片封装越来越小、功耗要求越来越高，以及容量要求的不断增大，场效应管作为一种微型电子控制元件受到越来越多的应用。场效应管（Field Effect Transistor，FET）引脚就是其中的关键部分之一。
FET是一种功率放大器，使用导电通道控制输出。它有三种基本类型：单刀双掷型（N-Channel Enhancement MOSFET）； 双刀双掷型（P-Channel Enhancement MOSFET）； 无极性型（Depletion Mode）。FET具有低功耗，低噪声，低误差等优点，可广泛应用于手机、电脑、电视、电话等电子产品中。
FET引脚由四个编号为：Gate（G）、Drain（D）、Source（S）和Body（B）组成。Gate（G）引脚用于对FET进行控制，电流的控制因子主要来自此处； Drain（D）引脚是输出信号；Source（S）引脚与Drain（D）引脚相反，为输入信号；Body（B）引脚是开关电源管脚，可选择性连接到GND或其他电源，当接地时，FET被打开，关断时FET处于关闭状态。
FET引脚是场效应管的关键组件之一，且FET作为一种微型电子控制元件受到了越来越多的应用，因此研究FET引脚将有助于更好的使用FET，它们也是实现全新功能的基本单元。
