场效应管（Field Effect Transistor，FET）和三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是两种常用的晶体管。它们具有一定的相似点，但又有着本质上的区别。
FET和BJT都是晶体管的基础，能够管理功率电信号的流动，因而被广泛地用于电子器件的构成之中。然而，它们也有所不同。FET不需要外部电流就能工作，而BJT则需要外部电流才能开启。
FET有两种类型，即n型场效应管（n-channel FET ）和p型场效应管（p-channel FET）。它们实现信号放大的原理是电场控制自身的电子流动，可以减少功耗和传输时间等，使其适合于集成电路（IC）构成。而BJT结构比较简单，电流自身的放大能力较差，但它可以操纵高功率信号。
FET和BJT也有着显著不同的运算特性。FET具有较高的输入阻抗，但输出阻抗较低，非常适合构成低到中功率放大电路，能够有效地放大高频信号。BJT可以放大低电平信号，例如一些开关信号，也可以用于构成高功率放大电路。
实际上，FET和BJT是两种不同的晶体管，它们具有极大的功能和不同的特性，因此有着截然不同的应用场景。没有哪种晶体管能够完全取代另一种，只有根据具体的应用情况，才能选择适当的管子来构成具有特定性能的电路。
