场效应管 (Field Effect Transistor，简称FET) 是一种电子元件，它把一信号电压转换为一输出电流的能力，对电技术和电路设计来说，它是不可缺少的特性之一。它由内部电容作用而形成的不同参数影响着它的特性，这些参数称为场效应管参数。
场效应管参数的主要内容包括：本征电阻（Ron）、极门结电容（CG）、输出电容（CO）、暗电流（IDSS）、输入电容（CI）、偏置电流（IB）、输入接口电容（CA）、转换系数（μ）等。在元件电容的运作中，尤其是在噪声中，变得特别重要，毫不夸张地说，如果极门结电容出现问题，电路可能功能崩溃。
因此，在选择和设计 场效应管时，要尽量把握这些参数。在适当的范围内，Ron、CG和CO之间要有合理的折衷；同时，确定场效应管的负载，避免IDSS和IB不合理，以免损害场效应管的输出性能和稳定性；此外，还要注意CA和μ，因为太大或太小的值均会出现问题。
总之，在理解和掌握场效应管的参数特性对设计者来说至关重要。了解和正确使用场效应管参数，可以快速提高电路的性能，更好的满足多种应用场景。
