场效应管npn，是指N型场效应晶体管（NPN FET），早在1960年代就被发明出来，它是一种双极型功率晶体管，最常被用于控制和调节电路。
场效应管NPN，主要由源极（S）、漏极（D）、控制极（G）和碳杆（C）组成，其中源极和漏极间构成了导通的MOS晶体管，碳杆上的吸引力使晶体管更易于控制。当控制极上的电压升高时，就会使晶体管的源极和漏极连接起来，这时就可以将信号从控制极传递到源极和漏极上。在低电压下，晶体管会断开，不会传递任何信号，可以改变程序，管的输出受到控制。
一般情况下，N型场效应晶体管的发射极电压和漏极电压可以直接调节，综合考虑电路配置以及调节程度，可以将发射器电压设置为较低的电压以外的其他电压。另外，其管电容几乎可以被忽略，在众多的稳态电路中，它的稳态电阻非常低，瞬态电阻也很低。
因此，场效应管NPN大大改善了很多的电路，例如：用于信号处理，用于放大。另外，它还有非常多的应用领域，例如：可以用于流量控制、电压控制和频率控制等等。在这个时代，它已经被广泛地应用到电子设备中，如计算机、量控和数字机器等，从焊线、到按键、锁定器、多种控制信号等，都可以用场效应管NPN去实现。
