场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）电压放大，是一种具有高性能及高效率的放大器类型。它具有低负载电流、低谐振消耗、低混叠噪声、高功率效率等优势。因此，它被广泛用于各种放大器领域，如通信、汽车音箱、电视机等应用。尽管场效应管有如此多的优势，它也存在着一定的不足之处，例如低功率放大程度、放大带宽缩小等。所以想要让场效应管的电压放大器性能达到其最佳，就需要采取一定的措施。
首先，为了提高场效应管电压放大器的功率放大程度，可以采用改进与电压增益负反馈方案，即在电路设计中采用精心调节的混合反馈参数，以增加电压放大器的效率。此外，可以利用电路中设置的串行电容功能，以减少电容器的尺寸，从而提高电压放大器的功率放大程度。
其次，可以采用增强半导体的调节能力方法来提高场效应管的电压放大带宽。半导体调节仓的增强方式包括增加基准网络，采用高增益网络，改善半导体装置的负反馈等。
最后，还可以使用电晕反转装置来提高场效应管的电压放大能力。该装置能够使电容器的存储容量压缩到一半，从而使电容器的存储能力得到更好的提升，从而可以使电压放大性能获得更大的改善。
由此可见，通过采用上述适当的技术措施，可以大大提高场效应管的电压放大性能。通过这种放大性能的改善，显著加强电子设备的性能，从而使它们更适用于大众。
