IGBT（按开关管）和场效应管是两种常见的可控开关元件，在许多电子产品中都被广泛使用。它们的相同点是它们都可以控制大电流大电压，但也有明显的不同。
首先，IGBT是一种双极性半导体开关元件，它能够提供很高的额定值和低漏电，可以直接替代电力电路中的可控硅，使功率电路的电子晶体管形式更小。在IGBT电路中，最主要的因素是能够吸收更多的电容量，从而对功率线路节约资源起到了一定的作用。
而场效应管是一种单极性开关元件，它的主要优点是具有极低的漏电流和良好的可控性，可以有效监控设备的分段，使设备的抗干扰性能更强。此外，由于它的工作电压范围较低，因此可以提供更加可靠的电源。对于低压设备，使用场效应管可以避免因过高的功率而产生的电磁干扰等问题。
总的来说，IGBT和场效应管在各自所在的领域都具有各自的优势，要根据实际的应用情况选择最合适的开关元件，以获得最佳的效果。
