功率场效应管（Power Field Effect Transistor，简称PFET）是一种常见的三极管，它能够以电压的变化来控制器件的电流。它与普通的二极管类似，但具备更高的静态电压和功率增益，特别是在高频电路中。常用功率场效应管在结构上与普通三极管相似，其特点有：
一方面，最大可以容忍的电压要大于普通三极管的极限值。它可以忍受峰值偏置电压高达几个千伏。而且，它具有非常高的开关特性，因此对于高频应用来说，功率场效应管的噪声特性要优于普通的NPN类三极管，且不会引起干扰波。
另一方面，功率场效应管可以使用更宽的功率范围；其最大耐压是普通三极管的3-4倍，系列电阻小于普通三极管，静态电容也小于普通三极管，因此在高频应用时，可以节约成本。功率场效应管也可以支持更多控制能力，并拥有更好的散热能力，使得它可以在高功率应用时，防止温度上升。
一般来说，常用功率场效应管都要达到一定的技术要求标准，这些标准包括：漏电流极限、反向偏置电流、饱和电流、次轨电压、最大耐压、可零紫现场、静态电容、热稳定性等，这些标准能保证常用功率场效应管在使用过程中的精度及可靠性。
总之，常用功率场效应管具有高电压、高频、高可靠性的优点，对于较复杂的电路来说它是一种理想的选择，可以提高系统的整体性能。
