场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种晶体管，由三个极（源极、漏极、控制极）组成。它的运行机理依赖于对控制极运用电场：由电场所产生的变化控制传输过程。该管子为电路完成了大量的电路功能，是电子技术的最重要的部分之一。
场效应管的工作原理是：将电流控制源极上的反向极场加到控制极上，从而控制漏极上的电流流量。在控制极处产生的电场对沟选不仅两者直接存在的关系，而且还会改变控制极与源极的绝缘层厚度，从而调节控制极对漏极的电流穿透。当所调节的此电场的强弱发生改变时，场效应管的电流会改变，这就是场效应管的基本原理。
在电子电路设计上，FET往往用作放大电路、滤波器、混沌振荡器以及模拟数字转换器等多种应用。FET具有低噪声、低失真及低成本等优点，广泛应用于微电子与无线通讯中。场效应管信号指的是由这种场效应管产生的信号，如果正确使用，可以达到很好的放大效果。
由于场效应管具有流密度调节能力，广泛应用于模拟电路系统中，具有很多优势，如受控电流可以调节电压，电极可以使很薄的电容调节；可以产生极小的漏电流，更高的增益。所以，在一些特殊应用场合，场效应管信号可以实现更好的电子电路控制效果。
总之，场效应管信号的典型性及其多样性，能大大提高电路的精度和效率。未来的电子设备越来越依赖于场效应管信号，并越来越多地使用它，将来技术发展的必然趋势。
