场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种特殊的电子结构，与普通的晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）不同，它是没有中间的体结构，横截面是均匀的，相当于一个普通的水平晶体管。其工作机理是以场效应来控制导通，即沟道电场（Gate Field）来控制导通，而基部（Base）和集电极（Collector）电场对其无影响。场效应管采用低压，低噪声和低功耗技术，成功地将热效应的微小特性发挥至极致，得以替代传统晶体管，由此可简单而又先进地完成放大、失真、信号延时等各种电子变换，且具有体积小，耐受能力高等优点，以及更加有效的热性能，因此大大延伸了拟定数字系统的范畴，诞生了数字电子技术的重要基础。
在热效应方面，FET无旁路，并形成一个完全导电的通道，比其他热电器件如电阻更有优势。同样大小的FET热电器件可以输出比BJT更大的功率，且带宽范围更广，抗噪声性能更佳。因此，FET可以在更小的空间中实现高效和精确的控制，成为非常重要的热效应组件。
可以说，场效应管的发展是电子领域一大奇迹，不仅改变了当时电子部件的发展趋势，也推动了数字领域的蓬勃发展，为后来数字技术和信息化推动开辟了道路。因此，在数字领域发展史上，场效应管无疑是一项伟大的热电效应，它的发明和发展背后的工程师们是不可磨灭的英雄。
