晶体管饱和区（Saturation Region）是晶体管专用功能模型中的一个重要环节，是电路设计中经常遇到的环节。它一般是根据晶体管工作模式而分析出的，主要表现在晶体管的三种工作模式（导通、绝缘和饱和）之间切换逻辑有关内容的过程中。
晶体管的输入电压只有两种状态：一种是高电压（称为 “正电压”），另一种是低电压（称为 “负电压”），因此晶体管只有开关和饱和两种工作状态。当晶体管的输入电压达到某一特定值时，该晶体管就会进入饱和状态，其输出电压也会相应地发生改变。
晶体管饱和区有多种方法可用来描述，可以根据输入电压和输出电压的变化，利用一条线由两端构成，把晶体管的三种工作状态（导通、绝缘和饱和）画出来，构成一张输入-输出电压特性曲线，即晶体管的饱和区曲线。
晶体管饱和区不仅具有重要的理论意义，还有实用性，在电子电路设计中普遍应用。在放大器电路中，常能找到将脉冲电弧和滞后时延由晶体管饱和区来完成的电路。此外，由于晶体管饱和区的有效性，也用于二进制倒计时器、全加法器等电路设计中。
简而言之，晶体管饱和区是晶体管特性曲线的关键特征，具有重要理论意义与实用性，是电子电路设计中不可或缺的重要部分。
