场效应晶体管（FET）是一种大家耳熟能详的半导体器件，它由几个特殊结构的晶体管组成，能够控制晶体管的输入和输出电流，实现有源和无源电路的功能。而作为电子器件，FET也是各种电子设备中最容易受外界环境影响的器件，如温度、湿度、自激振荡等，都会影响整个系统的性能，其中一个关键因素就是FET的噪声。
场效应晶体管噪声与低信噪比（SNR）息息相关，这里我们要就在通信系统中低SNR的影响，以及FET噪声的特征进行探讨。首先来看低SNR所带来的影响，低SNR下通信信息会有被串扰或抹消部分信息的可能。其次，低信噪比的系统也会有功White（噪声功率）干扰，从而降低系统的容量、稳定性和性能。
因此，常见的FET噪声具有三个特征：1. diode扰动；2. gate扰动；3.reverse微分扰动。扰动噪声由diode注入的热噪声和灵敏度噪声所构成，由于热噪声抑制不足，diode扰动的噪声会占据FET的噪声特征里比较大的比重；而gate扰动噪声则由可变的poisson分布所构成；reverse微分噪声则由static和dynamic因素产生，可以说因素复杂，而且扰动噪声还会带来fading和interference等问题，这也正是造成系统低信噪比的最主要原因。
因此，为了提升FET系统的信噪比，降低低信噪比带来的影响，应重点关注噪声补偿某个时间段由FET产生的噪声，以及采取降噪措施，建立有效的信噪比监测体系，并采取有效的抑制策略，以提升FET系统的整体性能。
总之，场效应晶体管噪声与低信噪比是冤家，对它们应采取正确的处理方法。当我们遇到低SNR时，可以考虑多种抑制和补偿方案，实施相应的策略，并构建监测体系，来最大程度的改善FET系统性能。
