晶体管，也被称为可控硅，是一种半导体器件，它可以控制或调节电流流量大小，一般由几个晶体板组成，常用于阻抗变换器、隔离变压器、电路测量仪表、脉冲发生器以及模拟数字转换器等电子电路。由于晶体管具有非常强的信号传输能力，在很多系统中，都使用晶体管来传输和控制信号。
然而，随着晶体管电路的发展和升级，噪声的影响也正在日益显现，尤其是FET噪声。FET噪声是由于晶体管内FET开关的脉宽变化而产生的频率变化，它是一种结构性噪声，会影响晶体管的功能和性能。
FET噪声的核心机制是发生在晶体管节点电压变化上太小而无法检测的变化，它可以产生增大的噪声输入信号，产生一种自我放大机制，从而增大晶体管的输出信号，从而影响它的功能。
因此，为了确保晶体管的高效率运行，应该针对FET噪声进行全面的研究，从而发现每一个晶体管系统的失效点，有效地减少噪声的影响，使晶体管功能发挥最佳效果。
