随着技术的进步，电子设备的性能越来越好，应用噪声控制也变得越来越重要。在功率电子设备中，晶体管FET（场效应晶体管）是应用最广泛的元件，但它也易产生高噪声，研究者们正在努力找到有效抑制FET噪声的技术方法。
首先，FET晶体管是一种比增大器晶体管更强大的器件，其结构采用了全导通场效应，从而可以控制相对较大的功率，但它也具有较高的功耗和存在较多的噪声和失真。
因此，研究者们在研究抑制FET噪声方面取得了一定的进展，主要技术有几种，比如增加晶体管的结构，通过添加滤波器来抑制噪声，使用外围电容电阻，采用晶体管布线、钳位保护等方法，都有助于降低晶体管FET的噪声。
另外，研究者们还建议，使用分数电压/功率模式在晶体管上进行调整，可以将噪声降至更低的水平，从而实现更好的噪声抑制效果。
总的来说，晶体管FET的应用越来越广泛，噪声抑制也逐渐受到重视。研究者们正在努力开发出有效的抑制FET噪声的技术方法，以提高电子设备的效率。
