晶体管Y参数是指三个基本组成一个晶体管的参数，也就是集电极到集电极的电阻（Y11），集电极到发射极的电阻（Y12）和发射极到集电极的电阻（Y21）。在真空管、晶体管和MOSFET等早期三极管中，Y参数的定义与其作用都很明显。在现代高频晶体管中，Y参数的定义更加抽象，用于描述晶体管的基本特性。
Y参数可以用来指导晶体管研制，控制过程中参数的变化，以及控制封装对晶体管特性的影响。Y参数的变化主要取决于晶体管的内部结构，当晶体管内部结构发生变化时，Y参数也会发生变化。比如，当晶体管设计的初级结构发生变化时，Y参数随之发生变化。此外，Y参数也会随着晶体管工作温度的增加而发生变化。
高频晶体管y参数可用来表征其功率能力、工作负载以及晶体管的特性变化趋势。它也可以用于描述晶体管工作过程中的端口参数响应以及电路各节点之间的相互关系。通过对Y参数的检测，可以查看晶体管的状态以及明确其影响因素，以及分析晶体管对电子设备的整体性能的影响情况。
从总体上看，高频晶体管Y参数是一组描述晶体管的基本特性的参数，可以用来分析晶体管的性能，用于晶体管研制，以及用于控制电路中晶体管参数变化及封装对其特性的影响。
