三极管VBR:实现低旁瓦效应

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三极管VBR:实现低旁瓦效应

三极管可以实现可变封闭控制(VBR),它是指改变晶体管放大器的可调限幅,以减小来自输入端的信号放大后的旁瓦效应。传统三极管放大电路拥有较高的输出噪声,低增益带宽,以及噪声,而可变封闭控制技术可以显著改善电路的性能并减少噪声。

三极管vbr的原理由可变阻抗,信号去噪,增益带宽和正反馈控制器组成。正反馈控制器对输入端信号与正反馈信号的差分进行定期检测,当底噪大于预设值时,正反馈可变封闭控制器将改变可变电阻的电阻值,从而限制放大器输出的旁瓦值,有效地减小噪声。另外,可变阻抗可以提高放大器的增益带宽,而信号去噪技术可以有效地去除线性失真带来的噪声。

三极管VBR可以灵活地扩展放大电路性能,可以有效地降低电路的旁瓦效应,减小输出信号的噪音。这种技术的出现,也引发了可变封闭控制应用的更广泛发展。借助它,不仅在传统三极管放大电路中可以实现较好的性能,而且在全新的电路中也能大大提高性能。

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