常用的n沟道结型场效应管
场效应管（Field Effect Transistor），又称为场效应晶体管，是一种用电场控制电子流的半导体器件。n沟道结型场效应管是用多条电极来控制一段晶体管的宽度。当电流流过n沟道时，令电子衍生穿过晶体管，进而影响电压、电流和阻抗。n
绝缘栅型场效应晶体管的突破性应用
绝缘栅型场效应晶体管（Insulated-gate field-effect transistor，简称IGFET）是一种快速、高性能、高灵敏度的晶体管，是热敏电阻、半导体发光二极管以及其他半导体器件的重要构成组件。IGFET的基本功能在于
增强型场效应管：极致性能的卓越实现
增强型场效应管（Enhancement Field Effect Transistor，E-FET）是一种重要的高端功率晶体管，具有高速、高精度和极低的功耗特性，用于功率放大、感应控制和模拟信号准备等一系列电子应用。E-FET采用多芯层信号
结型场效应管参数：关键要素保障电子装置的可靠性
结型场效应管（MOSFET）是半导体技术领域里应用最广泛的元件，并且关系着电子设备的可靠性。如何通过优化MOSFET的参数，来保障电子装置的可靠性，是电子工程师必须考虑的重要问题。MOSFET参数主要包括功耗特性、交流特征和瞬态特性。功耗特
绝缘栅型场效应管的输入电流构成与特征
绝缘栅型场效应管（也称MOSFET）是一种精密定做的可控制的电子元件，它具有良好的输入特性和控制特性。绝缘栅型场效应管的输入电流构成有三个部分：静态情况下的输入电流、瞬时输入电流和长期输入电流。首先，在静止状态下，绝缘栅型场效应管的输入电流
结型场效应管工作原理概述
结型场效应管（或简称为JFET），又称“结型场效应晶体管”，是半导体技术的一种重要器件，可以用于集成电路中的低频信号放大、调制和检测应用。它是一种半导体形式的三端场效应晶体管，其工作特性与普通场效应晶体管基本相似，可实现电流控制，但不像普通
双极型场效应管──科技之美丽
双极型场效应管（Bipolar Field Effect Transistor，简称BFET）是一种极低源极漏电流的场效应晶体管，其正向饱和电流甚至低于单普通的晶体管。这使得BFET在微型电路中可以实现更高的电压得到更高的能量效率。BFET
增强型场效应管可大大提升效率
增强型场效应管（ Enhancement Mode Field Effect Transistor, 简称EMFT）是一种半导体制造技术，功能上是传统场效应管（Field Effect Transistor, 简称FET）的升级模型，与FE
增强型场效应管：提升能源利用率的新方向
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是利用沟道电场调节器件通道电流的一种电子器件，它的运行特性被广泛应用于集成电路中。近几年来，随着工艺技术的不断发展，工艺精度的提高，及器件尺寸的缩小，FET的集成程度更大，功
增强型场效应管——助力智能电子产品发展
近年来，随着电子产品以不断创新的形式出现在我们身边，智能化发展迅速。增强型场效应管作为智能电子产品的一部分，也受到了越来越多的关注。增强型场效应管，又称加强型MOSFET，是一种新型的半导体器件，具有小尺寸、高性能、高可靠性和低功耗的特点，