场效应管（Field Effect Transistor，FET）是电子元件界的一种关键部件，长期以来，人们认为它是实现芯片功能多样化的关键，同时减小芯片尺寸的关键布局要素。在过去几十年中，FET 不断演变，性能不断提升，应用场景也越来越广泛。近年来，新型的FET技术也出现了，其采用了新型的晶体管技术，从而更加灵活地匹配当前应用，使市场规模有了长足的增长。
新型晶体管的出现无疑将FET市场推向了新的领域，新型的晶体管技术，使其在其在较为极端的工业环境下安全可靠的运作，为设备和系统的高精度工作做出了贡献。而且新型晶体管制造工艺的优势，也大大提高了FET的可用性。新型晶体管具有更低的漏电流，更窄的工作区间，更低的漏电压，更低的迟滞电压，更小的晶体管尺寸，而且是无容性节点，比传统FET技术具有更高的可靠性，更低的功耗和更高的效率。
此外，新型晶体管的出现极大地改变了FET的应用，可应用于智能家居、自动驾驶以及医疗健康等应用领域，拓展了FET在各个领域的应用范围，对实现安全可靠的工程系统也提供了一个助推。
未来，随着技术的不断发展，新型晶体管肯定会给FET市场带来新的机遇，扩大FET的应用范围，更好地实现FET的功能和质量的提升，为客户带来更完善、更可靠的产品，重新定义FET的发展方向，实现市场规模的不断增长。
