CMOS场效应管（Complementary Metal-Oxide Semiconductor FET，简称CMOSFET）是一种特殊的半导体器件，它是MOSFET和BJT（晶体管）的完美结合。它被广泛应用于存储器的内部结构和大规模集成电路（IC）的分立器件。Cosmos场效应管也有三级变型，可以实现更低的功耗，同时较高的性能。
三级CMOS场效应管是一种早期发明的场效应管，它主要由当前源、当前汇和晶体管组成。晶体管的主要作用是作为绝缘梯，当前源和当前汇传输“热”电流，来提供输入信号发生器的自适应驱动电流。这种设计抗干扰性强，性能也高。
3级CMOS场效应管的最大优势在于能够实现低功耗和高性能的兼容。它们的低功耗特性可以在较低的电压下获得良好的性能，而高性能能够满足高速、高功率应用的性能要求。此外，3级CMOS场效应管可根据系统待机电流的需要，进一步优化其电源管理系统的可靠性和耐受性。
在今天使用的电子电路中，3级 CMOS场效应管不仅被广泛用于控制、延迟和锁存应用，还被应用于使用低电压控制的系统中，如半导体内存和控制单元。所以，3级CMOS场效应管在当今电子技术中起着非常重要的作用，可以为电子设备和系统带来更多的性能优势。
