近年来，随着科技的发展，电子零件质量的要求也越来越高，需要集成电路（Integrated Circuit，IC）有更低的功耗、更高的可靠性和功能的完备性，以满足工业等现代化应用领域的不断发展。场效应管（Field Effect Transistor，FET）作为一种重要的晶体管技术，为IC在结构和特性上的设计提供了低成本的实现模式。
首先，场效应管有着良好的输入阻抗，使电路噪声更低。而且，在空间上，场效应管比其他晶体管更加小型化，可以实现更为复杂的结构，并大大减少空间占用，从而提高IC整体性能。此外，场效应管也具有低谐振特性，能够有效地防止系统受到变化的环境外来信号的干扰。
其次，场效应管可以为电路提供非常优越的电路延迟特性，同时仍能满足电路的速度要求。而且，其具有极高的热稳定性，使系统具有更高的可靠性，可以在较高的温度下稳定工作，耗散的功率更低，符合当今环境节能的要求。
最后，场效应管技术也可以采用更多种不同的结构来实现不同的任务。例如双极场效应管还可以作为一种稳压元件，具有良好的容差性。
总之，场效应管已成功地推动了IC的研发技术，使其具有更高的性能、更小的功耗、更可靠的特性，可以在大大提高IC性能的同时节约能源，更有效地起到推进现代电子技术发展的重要作用。
