场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是由一个有源晶体管结构组成的一种半导体器件，是由大量模拟集成电路中最重要的器件之一。它可以实现非常复杂的功能，比如输入-输出放大和滤波，加上其他电路元件可以组成一个更加复杂的电路。
以MOSFET为例，它是最常用的场效应管，由一对可变的摩尔-阴极子与一对集电极构成，外加一个控制极。简单来说，摩尔-阴极子可以阻止或导通大量电流，取决于控制极上所施加的电场是否足够强。由于控制极上的电场完全取决于控制极电压，因此场效应管的输入电压非常高，而其输出电流可以控制在非常低水平，从而实现高度效率的电子控制。
另外，场效应管也具有低噪声概率和低失真特性，这使得其非常适合应用于高性能的信号路径。 相比于传统的放大器，这些特性使得场效应管在模拟的传输和放大系统中具有明显的优越性，可以提供更平滑，更精确的放大，从而获得更高的信号质量。
总而言之，场效应管的特性使其成为电子设备中高性能模拟领域最关键的构成部分，它可以为电子系统提供更高精度、更强稳定性的控制和放大。
