场效应管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种开关型半导体元件，是一种可以控制电流流动的角色。它通常可以通过控制其门电压，控制其开关特性而使电流流向不同。将场效应管作为控制开关时，其打开阻抗很小，并且可以非常容易和快速地控制电压。
场效应管有很多种，根据不同的工作原理，可以分为极控场效应管和可控场效应管两大类。极控场效应管（Unipolar FETs）的特性是通过改变逻辑极（Gate）的电压而控制开关特性，可控场效应管（Bipolar FETs）的特性是通过改变继电器的电压而控制开关特性。这两种类型的场效应管有自己的特点，我们可以根据不同的应用场合选择不同类型的场效应管。
从工作原理上看，场效应管本质是一个三极场效应发射管，由逻辑极，基极和发射极三部分组成。它可以控制逻辑极的电压，从而改变发射极的电压，从而改变开关特性。当电压升到一定阈值时，开关端就会由“断开”切换到“开启”，整个过程非常快，一般只需要毫秒时间，这与普通开关相比，时间要短得多。
因此，场效应管具有良好的模拟特性，可控程度高，操控精度高，开关速度快，耗散功率低等特点，可以大幅提高电路的效率，在模拟电路中的应用越来越广泛，可以说，没有FET，整个集成电路技术当中的模拟集成电路和微电子学领域就失去了最为重要的一部分支柱。
