场效应管（FET）是利用电场作用于晶体管中的门电容来控制路径上流动电子的一类电子器件。它由经典的三端结构组成，特别是在小尺寸集成电路中具有广泛的应用。
FET的整个结构基本上由四个部分组成：源极(S)，漏极(D)，门极(G)和漏极区(DG)。其工作原理是 通过门极的电场作用来控制场效应管的导通与断开，实现电流的调节。当门极加正偏压时，因电场的作用，氧化物层的正偏拉压就大大增强了，从而导致氧化层的空穴来自源极向漏极的导通，FET就导通了；当门极处于负偏压时，门极电容的两侧有负偏拉压，此时导通属性受阻，FET就断开了。
因此，通过对门极的电场施加，可以实现场效应管电流的调节，从而实现对导通和断开的控制。由于场效应管具有较小的电容助效应，噪声特性良好，可以作为高频放大管，对于高灵敏度、低漂移的低噪声放大元件具有广泛的应用。
此外，由于结构简单，可以进行集成，可以用于表示高阻抗电路，免去了双极晶体管的带电器件，这使得MOS Field Effect Transistor十分常见，在一些微电子和数据处理用途方面应用十分广泛。
