场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种重要的半导体器件，它可以感测电场，在无源情况下改变输出电流的外部电压大小。在FET中，有一个独特而又很重要的结构叫做漏极。场效应管的漏极作用是将FET的场效应能量传递到FET的另一端，也就是输出端，这种能量传递是通过漏极的表面电荷转换来实现的。
漏极的表面带有电荷，可以在FET内部形成电场，从而改变输出电流的大小。此外，漏极表面电荷的聚集力还可以影响FET的输出电流的强度。因此，漏极的表面电荷聚集力和形成的电场大小对于FET的工作性能至关重要。
另外，在FET结构中，漏极的距离也十分重要，它能够控制FET的输出电流的大小。当漏极的距离较短时，FET的输出电流较大；当漏极的距离较长时，FET的输出电流较小。因此，在设计FET时，需要调整漏极的距离，以获得较优的工作性能。
综上所述，场效应管的漏极在FET结构中有着至关重要的作用。它不仅用于改变FET的输出电流的大小，还可以影响FET的表面电荷聚集力和形成的电场大小，从而影响FET的工作性能。在FET的设计过程中，需要考虑漏极的表面电荷聚集力、漏极的距离等因素，以保证FET的工作性能。
